領先半年時間 英特爾率先組裝ASML新一代光刻機

當地時間周四，美國芯片巨頭英特爾宣佈，已開始組裝阿斯麥（ASML）的高數值孔徑（High-NA）極紫外（EUV）光刻機，這是其超越競爭對手的重要一步。

英特爾是首傢購買阿斯麥新一代光刻機的公司，這臺機器的售價高達3.5億歐元（約合3.73億美元）。盡管存在一定的財務和工程風險，但該設備預計將能夠生產體積更小、處理速度更快的新一代芯片。

在與記者的交流中，英特爾光刻主管馬克·菲利普斯（Mark Phillips）表達瞭對其決策的堅定信心：“我們在決定購買這些設備時就已經認可瞭它們的價格。如果我們不認為這些設備物有所值，我們根本不會采購。”

阿斯麥是歐洲最大的科技公司，在光刻機市場占據主導地位。光刻機是一種利用光束幫助制造芯片電路的設備。

光刻技術是芯片制造商用以提升芯片性能的核心技術之一，它決定瞭芯片上晶體管的最小寬度——晶體管寬度越小，芯片的處理速度通常越快，能效也越高。

新一代高數值孔徑（High NA）光刻工具預計能大幅減小晶體管的寬度，達到原來的三分之一。然而，芯片制造商必須在這種顯著的成本提升和技術優勢之間進行權衡，並考慮現有技術的可靠性是否已足夠滿足需求。

英特爾的錯誤

英特爾決心率先采用高數值孔徑極紫外光刻機並非偶然。

英特爾雖曾參與開發極紫外光刻技術，但在開始使用阿斯麥首款極紫外光刻機上卻晚於其競爭對手臺積電。英特爾首席執行官帕特·蓋爾辛格（Pat Gelsinger）承認，這是一個嚴重的失誤。

與此同時，英特爾專註於所謂的“多重曝光”技術的開發，其本質是使用分辨率較低的光刻機對晶圓進行多次光刻，以達到與高端機器相同的效果。

菲利普斯表示：“那就是我們開始遇到麻煩的時候。”

盡管傳統的DUV光刻機成本較低，但復雜的“多重曝光”操作耗時且降低瞭芯片的良品率，這減緩瞭英特爾的業務發展。

英特爾目前已經在制造最關鍵的芯片部件時使用瞭第一代極紫外光刻機，菲利普斯預計，轉用高數值孔徑極紫外光刻機將會更加順利。

他說：“現在我們已經有瞭期待已久的新一代極紫外光刻機，我們不想再犯過去的錯誤。”

菲利普斯還表示，位於俄勒岡州希爾斯伯勒園區的這臺新機器預計將在今年晚些時候全面投入使用。

英特爾計劃在2025年使用這臺巨大的機器開發14A代芯片，並預計在2026年開始初步生產，到2027年實現全面商業化生產。

阿斯麥在本周公佈的最新財報中表示，已開始向一位客戶發運第二套高數值孔徑極紫外光刻機。這位客戶可能是臺積電或三星。

由於這些大型設備的運輸和安裝可能需要長達六個月的時間，因此英特爾此舉已經占據瞭先機。