ASML已交付第三代EUV 可用於制造2nm芯片

最近ASML（阿斯麥）交付瞭第三代極紫外（EUV）光刻工具，新設備型號為Twinscan NXE:3800E，配備瞭0.33數值孔徑透鏡。相比於之前的Twinscan NXE:3600D，性能有瞭進一步的提高，可以支持未來幾年3nm及2nm芯片的制造。

在ASML看來，Twinscan NXE:3800E代表瞭Low-NA EUV光刻技術在性能（每小時處理的晶圓數量）和精度方面的又一次飛躍。新的光刻設備可實現每小時處理195片晶圓的處理速度，相比Twinscan NXE:3600D的160片大概提升瞭22%，將來有可能提高至220片。此外，新工具還提供瞭小於1.1nm的晶圓對準精度。

即便用於4/5nm芯片的生產，Twinscan NXE:3800E也能提升效率，讓制造商可以提高芯片生產的經濟性，實現更為高效且更具成本效益的芯片生產。更為重要的一點，是Twinscan NXE:3800E對於制造2nm芯片和後續需要雙重曝光的制造技術有更好的效果，精度的提升會讓3nm以下的制程節點受益。

Twinscan NXE:3800E光刻機的價格並不便宜，機器的復雜性和功能是以巨大的成本為代價，每臺大概在1.8億美元。不過比起新一代High-NA EUV光刻機的報價，顯然還是要低很多。此前有報道稱，業界首款采用High-NA EUV光刻技術的TWINSCAN EXE:5200光刻機報價達到瞭3.8億美元。

ASML還會繼續推進Low-NA EUV光刻設備的開發，接下來將帶來新款Twinscan NXE:4000F，計劃在2026年發佈，這凸顯瞭ASML對EUV制造技術的承諾。