臺積電：明年N28及以下技術海外產能將比2020年增加3倍

集微網消息，臺積電在2023年北美技術論壇上公佈瞭其未來的擴產計劃。

據semiwiki報道，為瞭滿足客戶不斷增長的需求，臺積電加快瞭晶圓廠的擴產速度：

1.從2017年到2019年，臺積電平均每年建設兩期晶圓廠；

2.從2020年到2023年，晶圓廠建設的平均值將大幅增長到5左右；

3.在過去的兩年裡，臺積電共啟動瞭10期晶圓廠的建設，其中包括中國臺灣的5期晶圓廠，中國臺灣的2期先進封裝廠，以及海外的3期晶圓廠；

3.到2024年，N28及以下技術的海外產能將比2020年增加3倍；

4.在中國臺灣，臺南Fab 18的第5、6和8期是臺積電N3的量產基地。此外，臺積電正在準備新的晶圓廠，新竹的Fab 20和臺中的一個新工廠，用於N2生產；

5.在美國，臺積電正計劃在亞利桑那州建設兩座晶圓廠，第一座N4晶圓廠已經開始設備搬入並將於2024年量產；第二座晶圓廠正在建設中，計劃生產N3制程；這兩座晶圓廠的總產能將達到60萬片/年；

6.在日本熊本，臺積電正在建設一傢晶圓廠，為N16/12和N28系列技術提供代工服務，以滿足全球市場對特種技術的強勁需求。該晶圓廠的建設已經開始，並將於2024年量產。

7.在中國大陸，N28技術的新產能於2022年開始量產。

此外，臺積電揭示瞭最新技術發展情況，包括N2制程技術進展、新N3制程技術、3DFabric先進封裝及矽晶堆疊的系統整合技術等。臺積電宣佈N3E、N3AE制程預計於今年量產；強化版N3P制程預計2024年下半年量產；N2制程在良率和元件效能進展良好，將如期於2025年量產；N3X制程預計於2025年進入量產。

據瞭解，支持更佳功耗、性能與密度的強化版N3P，相較於N3E制程，在相同功耗下速度增快5%；在相同速度下功耗降低5%至10%，芯片密度增加4%。N3X制程著重於性能與最大時脈頻率，相較於N3P制程，在驅動電壓1.2伏特下，速度增快5%，並擁有相同的芯片密度提升幅度。