蘋果迎接AI浪潮，醞釀為iPhone改用QLC NAND：存儲上限至2TB

IT之傢 7 月 25 日消息，集邦咨詢於 7 月 22 日發佈市場研報，透露蘋果公司正醞釀使用 QLC NAND 閃存，最早 2026 年用於 iPhone 產品中，讓其存儲上限達到 2TB。

QLC 和 TLC

TLC 的全稱是 Triple Level Cell（三層單元），進一步增加存儲密度，每個存儲單元存儲三位信息。

TLC NAND 的成本甚至低於 MLC NAND，使其成為消費電子產品和主流 SSD 的有吸引力選擇。

QLC 的全稱是 Quad-level cells（四層單元），每個單元可儲存 4bit 數據，跟 TLC 相比，QLC 的儲存密度提高瞭 33%。

QLC NAND 通常用於入門級消費者固態硬盤和大容量存儲應用中，QLC NAND 的耐久度最低，通常 P / E Cycle（Program Erase Cycle）在 100 到 1000 之間。

制造商實施先進的錯誤校正機制、預留配置（OP）和 Wear leveling 以維持可靠性。

雖然 QLC NAND 可能不適合寫入密集型工作負載，但它為日常使用提供瞭充足的存儲容量，使固態硬碟在更廣泛的用戶范圍內觸手可及。

早有曝料蘋果正推進 QLC NAND

最早曝料信息稱蘋果計劃在 iPhone 14 系列上采用 QLC NAND，IT之傢今年 1 月報道，蘋果可能會在 iPhone 16 Pro 系列上采用 QLC NAND。

集邦咨詢預估認為蘋果公司正在加速推進 QLC NAND 換代，從而將內置存儲上限提高到 2TB。

不過需要註意的是，雖然 QLC 的密度比 TLC 高，但速度卻比後者慢；而且單個單元中存在更多的單元，它們的耐用性較差，這意味著它們能處理的寫入周期比 TLC 少。

迎接大語言模型

蘋果公司還在探索如何使用 NAND 閃存，而不是內存來存儲大型語言模型（LLMs），從而能夠在本地運行更多 AI 任務，因此過渡到 QLC NAND 可能有助於改善 Apple Intelligence 的表現。