上海微系統所：國內首片300mmSOI晶圓制備完成

IT之傢10月20日消息，據中國科學院上海微系統所消息，上海微系統所魏星研究員團隊近日宣佈，在300mmSOI晶圓制造技術方面已取得突破性進展，制備出瞭國內第一片300mm射頻（RF）SOI晶圓。

據悉，相關科研團隊基於集成電路材料全國重點實驗室300mmSOI研發平臺，依次解決瞭300mmRF-SOI晶圓所需的低氧高阻晶體制備、低應力高電阻率多晶矽薄膜沉積、非接觸式平坦化等諸多核心技術難題，實現瞭國內300mmSOI制造技術從無到有的重大突破。

為瞭制備適用於300mmRF-SOI的低氧高阻襯底，團隊自主開發瞭耦合橫向磁場的三維晶體生長傳熱傳質模型，並首次揭示瞭晶體感應電流對矽熔體內對流和傳熱傳質的影響機制以及結晶界面附近氧雜質的輸運機制，相關成果分別發表在晶體學領域的頂級期刊上。

官方表示，多晶矽層用作電荷俘獲層是RF-SOI中提高器件射頻性能的關鍵技術，晶粒大小、取向、晶界分佈、多晶矽電阻率等參數與電荷俘獲性能有密切的關系。

此外，由於多晶矽/矽的復合結構，使得矽晶圓應力極難控制。團隊為制造適用於300mmRF-SOI晶圓的多晶矽層找到瞭合適的工藝窗口，實現瞭多晶矽層厚度、晶粒尺寸、晶向和應力的人工調節。