臺積電從《芯片法案》獲得66億美元補貼 計劃在鳳凰城建造第三座晶圓廠

臺積電（TSMC）宣佈，與美國商務部簽署瞭一份不具約束力的初步條款備忘錄（PMT），後者將根據《芯片法案》向臺積電提供約66億美元的直接撥款，另外初步提供最高55億美元的貸款。臺積電還計劃就亞利桑那州工廠資本支出中符合條件的部分，向美國財政部申請最高25%的投資稅收抵免。

臺積電同時還敲定瞭在亞利桑那州鳳凰城建造第三座晶圓廠，通過最先進的制程技術來滿足當地客戶的需求。隨著新增第三座晶圓廠，臺積電的Fab21項目的資本支出從400億美元提升至650億美元以上。臺積電表示，第三座晶圓廠預計將創造約6000個直接高科技、高薪工作機會，打造充滿活力和具備競爭力的全球半導體生態系統勞動力。

據瞭解，Fab21項目的一期工程初期投入120億美元，選擇瞭4/5nm工藝的生產線，目前進展良好，計劃在2025年上半年投產;二期工程原計劃選擇3nm工藝的生產線，現在將推進至2nm工藝，預計在2028年投產，前兩期工程加起來的總產能為每月5萬片晶圓;新增三期工程將采用2nm或更先進的制程技術，預計2030年之前投產。

臺積電還將實踐綠色制造的承諾，在能源效率、節水、廢物管理和空氣污染管控等方面不斷創新，目標實現90%的水回收率，亞利桑那州工廠已就達到“近零液體排放”的目標進行工業再生水廠的設計階段。