臺積電為1nm工藝做準備 總開發成本超320億美元

去年末，臺積電（TSMC）在IEEE國際電子元件會議（IEDM 2023）上透露，其1.4nm制程節點的研發工作已全面展開，進展順利。這是臺積電首次對外披露其1.4nm制程節點的開發情況，對應工藝的正式名稱為“A14”，至於工藝的具體規格和量產時間，暫時還不清楚。

臺積電的2nm工藝計劃在明年末量產，1.4nm工藝的推出時間大概在2027年至2028年之間。不過據UDN的最新報道，臺積電已經在為更遙遠的1nm工藝生產做規劃，將是首傢準備1nm工藝的代工廠，這讓半導體競爭變得更加激烈、有趣。

此前臺積電在IEDM 2023上分享瞭部分信息，1nm工藝大概要等到2030年，正式名稱為“A10”。隨著包括CoWoS、InFO和SoIC等封裝技術的進步，臺積電預計2030年左右可以打造萬億級晶體管的芯片。臺積電采用的方法與英特爾比較相似，問題在於如何實現這一目標，最近半導體行業一直被收益率和產能所困擾。

據稱，臺積電的1nm工藝將是一個昂貴的計劃，預計總開發成本超過瞭320億美元。臺積電也會為1nm工藝新建一座晶圓廠，地點在中國臺灣南部的嘉義縣，總面積超過瞭100公頃，同時會按照60/40的比例劃分，以同時滿足半導體制造和封裝的需求。

雖然先進工藝的開發難度越來越大，投入越來越高，不過臺積電並沒有停止前進的步伐，除瞭1nm工廠，預計還會建造多座2nm工廠。