晶體管
消息稱三星下代400+層V-NAND 2026年推出,0a DRAM采用VCT結構
這一改動可防止NAND堆疊過程中對外圍電路結構的破壞。
曝三星Exynos 2500翻車!Galaxy S25全系標配驍龍8至尊版:高通贏瞭
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Intel 18A工藝順利超預期!Arrow Lake 20A版本取消 改外部代工
Arrow Lake處理器傢族將主要基於外部代工工藝,並由於Intel Foundry完成封裝。
英特爾酷睿Ultra 300系列曝光!1.8nm最多16核CPU
與前代產品相比,新一代處理器在核心架構和制造工藝上都進行瞭重大升級。