存儲單元
消息稱三星下代400+層V-NAND 2026年推出，0a DRAM采用VCT結構
這一改動可防止NAND堆疊過程中對外圍電路結構的破壞。
AMD Zen5銳龍9000內核佈局解密：512位浮點單元大變
銳龍9000系列延續瞭chiplet佈局，包括一顆或兩顆CCD、一顆IOD。
蘋果迎接AI浪潮，醞釀為iPhone改用QLC NAND：存儲上限至2TB
制造商實施先進的錯誤校正機制、預留配置（OP）和Wear leveling以維持可靠性。
