中國芯崛起！瀾起科技成功試產第三代DDR5芯片

瀾起科技在業界率先試產第三代DDR5寄存時鐘驅動器芯片M88DR5RCD03，這款芯片應用於DDR5 RDIMM內存模組，旨在提升內存數據訪問的速度和穩定性。該芯片支持高達6400MT/s的數據速率，相較於第二代產品提升瞭14.3%，相較於第一代產品提升瞭33.3%。

與DDR4時代的RCD產品相比，該款芯片采用雙通道架構，支持更高的存儲效率和更低的訪問延時。此外，它還采用1.1V VDD和1.0V VDDIO電壓，並支持多種節電模式，功耗顯著降低。單模組最大容量可達256GB。

瀾起科技總裁Stephen Tai表示：“我們非常榮幸能夠在第三代DDR5寄存時鐘驅動器芯片的研發和試產中保持行業領先。我們將繼續與國際主流CPU和DRAM廠商緊密合作，以助力DDR5服務器大規模商用。”

英特爾內存與IO技術副總裁Dimitrios Ziakas博士表示：“英特爾一直是DDR5內存技術和生態系統發展的引領者，支持可靠和可擴展的行業標準。我們很高興看到瀾起科技在最新的內存接口芯片上取得新進展。這些芯片可以與英特爾下一代E核和P核至強®CPU配合使用，以實現CPU釋放強勁性能。”

三星電子存儲器產品企劃團隊執行副總裁Yongcheol Bae先生表示：“三星一直致力於研發最新一代內存產品來滿足對高容量和高速度需求快速增長的應用。我們期待與瀾起繼續保持穩定的合作關系，不斷改進和完善 DDR5 內存產品標準，並推動產品的迭代創新。”

除 RCD 芯片外，瀾起科技還提供 DDR5 數據緩沖器（DB）、串行檢測集線器 (SPD Hub)、溫度傳感器 (TS) 和電源管理芯片 (PMIC) 等內