三星稱其3nm良率可達60~70 23-2024 年主打SF3/SF3P節點

IT之傢 5 月 2 日消息，三星電子正為 3nm 芯片訂單與臺積電展開激烈的競爭和碰撞，SF3 是首個采用 GAA-FET 技術的 3 納米節點，三星已經為目前各大無晶圓廠半導體設計公司送樣，以此彰顯對性能驗證的信心，試圖重新俘獲客戶的青睞。

三星聲稱，在節點開發階段，其生產良率可維持在 60-70% 的范圍內。值得一提的是，良率對於吸引客戶非常關鍵，因為一般的大客戶首先都會基於產能進行考慮，其次才是晶圓成本，而目前臺積電產能都已被蘋果占據。

此前，三星曾因其工程部門 2022 年“捏造”良率以贏取客戶業務的爭議而備受詬病。三星表示 2023-2024 年將以 3 納米生產為主，即 SF3 (3GAP) 及其改進版本 SF3P (3GAP+)，而且該公司還計劃於 2025-2026 年開始推出其 2 納米級別節點。

據稱，三星電子獲得的大部分訂單來自需要高性能和低功耗半導體的移動和 HPC 公司，3nm 制程的良率相比最開始量產時也已進入穩定軌道。根據IT之傢此前報道，三星 3nm 制程工藝已獲英偉達、高通、IBM、百度等公司訂單。

4 月 30 日，臺積電針對美國大客戶召開北美晶圓代工技術座談會，公佈瞭下一代晶圓代工先進制程量產路線圖。臺積電原本計劃在今年下半年量產 N3E，但現已將其推遲到明年。此外，進一步升級的 N3P 和 N3X 將於 2025 年開始量產，面向汽車行業的 N3A 則將於 2026 年開始量產。

一位業內人士表示，“誠然，在半導體行業具有強大影響力的是臺積電，憑借穩定現有先進制程良率的經驗，在訂單爭奪中領先一步。但在臺積電之前應用具有成本優勢的 GAA 之前，這將成為一個變數。”