218層 Kioxia推出世界上最快的3D NAND閃存

Kioxia 和 Western Digital透露瞭 他們共同開發的具有 218 個有源層的第 8 代 BiCS 3D NAND 存儲設備。新 IC 擁有創紀錄的 3200 MT/s 接口速度，這將使開發人員能夠使用更少的 3D NAND 芯片構建高性能存儲子系統（例如業界最快的客戶 端 SSD ）。據相關人士透露，為瞭實現 3200 MT/s I/O，兩傢公司借鑒瞭 YMTC 的 Xtacking 技術。

本周推出的第一款第 8 代 BiCS 3D TLC NAND 設備具有 1Tb (128GB) 容量、可最大化內部並行性和性能的四平面架構以及 3200 MT/s 的接口速度（這將提供峰值順序讀/寫400 MB/s 的速度）。Kioxia 和 Western Digital 是全球首批推出具有 3200 MT/s I/O 閃存 IC 的 3D NAND 制造商，領先競爭對手 33%。

但是，雖然構建世界上最快的 3D NAND 存儲設備本身就是一項成就，但有趣的是這兩傢公司是如何實現這一目標的。Kioxia 和西部數據的第 8 代 BiCS 3D NAND 內存采用稱為 CBA（CMOS 直接鍵合到陣列）的創新架構，類似於長江存儲公認的 Xtacking。

通常，3D NAND 單元陣列位於其外圍電路（如頁面緩沖器、感測放大器、電荷泵和 I/O）旁邊或之上。同時，從半導體制造的角度來看，使用相同的制造技術制造存儲器和外圍邏輯並不完全有效。CBA 和 Xtacking 架構涉及使用最佳生產節點在單獨的晶圓上生產 3D NAND 單元陣列和 I/O CMOS，這使其能夠最大限度地提高存儲陣列的位密度和 I/O 性能。

除瞭業界最快的 I/O 外，Kioxia 和 Western Digital 聲稱他們最新的 3D NAND IC 還擁有業界最高的位密度，但沒有詳細說明我們正在研究的位密度。同時，值得註意的是，引入的第 8 代 BiCS 3D TLC NAND 可以在 3D TLC 和 3D QLC 模式下工作，因此可以解決高性能/大容量的高級客戶端和企業級 SSD 以及便宜但快速的驅動器客戶端 PC 或高密度數據中心級存儲應用程序。

Kioxia 表示，它已經開始向一些選定的客戶提供其第 8 代 BiCS 3D NAND 存儲設備的樣品。但是，該公司尚未提供有關開始大批量生產其最新閃存的時間表的任何信息。由於閃存和 SSD 控制器的制造商需要很長時間才能將前者與後者配對，因此 NAND 生產商通常會在量產開始之前就展示新型存儲器。也就是說，預計第 8 代 BiCS 3D NAND 將在 2024 年的某個時候上市，盡管我們在此進行推測。

“通過我們獨特的工程合作夥伴關系，我們成功推出瞭具有業界最高位密度的第八代 BiCS 閃存，”Kioxia Corporation 首席技術官 Masaki Momodomi 說。“我很高興 Kioxia 已經開始為有限的客戶出貨樣品。通過應用 CBA 技術和擴展創新，我們改進瞭我們的 3D 閃存技術組合，用於各種以數據為中心的應用，包括智能手機、物聯網設備和數據中心。”

存儲密度新突破，鎧俠發佈218層3D閃存！

為展示先進閃存技術的持續創新，鎧俠株式會社與西部數據公司(納斯達克：WDC)今日發佈瞭他們最新的3D閃存技術的細節，該技術目前正在備產中。該3D閃存采用先進的微縮和晶圓鍵合技術，不僅成本上極具吸引力，同時還提供卓越的容量、性能和可靠性，因而成為滿足眾多市場中指數級數據增長需求的理想選擇。

“新的3D閃存展示瞭我們與鎧俠強大的合作關系以及我們在3D NAND領域的聯合創新領導地位。”西部數據技術與戰略高級副總裁Alper Ilkbahar說，“通過共同的研發路線圖與持續的研發投資，我們能夠提前推動該基本技術的發展，以生產高性能、高資本效益的產品。”

通過引入各種獨特的工藝與架構，實現持續的橫向微縮，鎧俠與西部數據降低瞭成本。這種垂直與橫向微縮之間的平衡在更小的芯片中產生更大的容量，在優化成本的同時減少瞭層數。兩傢公司還開發瞭突破性的CBA(CMOS直接鍵合到陣列)技術，其中CMOS晶圓和存儲單元陣列晶圓在優化狀態下單獨制造，然後鍵合在一起，以提供更高的千兆字節(GB)密度和快速NAND I/O速度。

“我們通過獨特的工程合作關系，成功推出瞭業界最高位密度1的第八代BiCS FLASH™”，鎧俠的首席技術官Masaki Momodomi說，“我很高興看到，鎧俠為部分客戶提供的樣品已開始發貨。通過CBA技術與微縮創新，在一系列以數據為中心的應用中，我們進一步推動瞭3D閃存技術的產品組合，包括智能手機，物聯網設備和數據中心。”

218層的3D閃存采用創新的橫向微縮技術，為4平面(Plane)的1Tb三層存儲單元(TLC)和四層存儲單元(QLC)，帶來超過50%的位密度提升。其高速NAND I/O速度超過3.2GB/s，比上一代產品提高瞭60%，同時在寫入性能和讀延遲方面的改善超過瞭20%，將加速用戶的整體性能、可用性。