擴大和三星、SK海力士合作 英特爾在韓國首爾設立芯片研究機構

IT之傢 6 月 4 日消息，根據韓媒 koreaherald 報道，英特爾計劃在韓國首爾設立科研實驗室，通過擴展和三星、SK 海力士的合作，推進適用於數據中心的 DRAM 芯片研發工作。

位於首爾的數據中心開發實驗室將於今年年底前竣工開業，主要負責為數據中心開發 DDR5 DRAM 內存技術。

英特爾在 Vision 2023 活動中，還表示在美國、中國、印度和墨西哥等地再設立 6 個科研機構，主要負責研究和認證服務器半導體芯片。

英特爾還擴大和三星、SK 海力士的合作，測試和評估 DDR5 和 Compute Express Link 等下一代內存產品的性能。

IT之傢此前報道，SK 海力士最近宣佈其第 5 代 10nm 工藝 1bnm 已完成驗證，滿足下一代 DDR5 和 HBM3E 的解決需求。

該公司表示，Xeon Scalable 獲得瞭英特爾認證，以支持基於 10 億納米節點構建的 DDR5 產品。三星還開始量產采用 12nm 工藝節點的 16B DDR5 DRAM。