GaN主導權之爭白熱化 美商EPC起訴國產龍頭英諾賽科

IT之傢 5 月 27 日消息，美國 GaN 技術廠商 EPC 近日向加州地區法院和 ITC 提起訴訟，聲稱國產 GaN 芯片龍頭英諾賽科侵犯瞭 EPC 的 4 項專利，並尋求禁售與侵權賠償。

圖源：英諾賽科

IT之傢在起訴書中看到，EPC 將矛頭對準瞭兩名曾在該公司任職的高管。EPC 認為，其首席技術官和銷售總監加入英諾賽科後不久，英諾賽科便推出瞭與 EPC 關鍵性能指標幾乎相同的產品。此外，英諾賽科還展開瞭進攻性的營銷活動，積極向 EPC 公司的客戶推銷其產品。

EPC 要求獲得侵權賠償，並希望能夠禁止英諾賽科公司在美國銷售涉及侵權的氮化鎵產品。業內人士指出，若 EPC 最終勝訴，英諾賽科等 GaN 企業進軍國際市場的策略將不得不做出改變。

英諾賽科成立於 2015 年 12 月，是一傢總部位於珠海的 GaN 類器件制造商，產品包括高低壓 GaN 電源 IC、功率半導體等，其擁有全球最大的 8 英寸矽基 GaN 晶圓的生產基地。