三星Galaxy Watch7/Ultra發佈：搭載3nm芯片，傳采用GAA晶體管

三星于7月10日召开发布会，正式推出Galaxy Watch7/Ultra智能手表，售价1999元至5199元，均搭载3nm处理器，5核设计。三星表示，新一代强大处理器为众多功能提供强大动力，此外还优化了电池续航时间。两款手表均采用蓝宝石水晶玻璃，具有IP68防水能力以及MIL-STD-810H认证，产品内置32GB存储空间，均支持双频GPS、蓝牙连接以及可选LTE蜂窝移动网版本。

研究机构TechInsights此前曾发现，三星第一代SF3E（3nm制程）工艺芯片于2023年推出，采用业界领先的GAA（全环绕栅极）晶体管设计，是未来制造更小制程芯片的关键技术。该工艺最早在一款小批量生产的加密货币矿机MicroBT WhatsMiner M56S++中发布。

该机构表示，预计三星Galaxy Watch 7的3nm芯片中，同样采用GAA技术。

TechInsights分析，2023年三星生产的SF3E工艺技术，是他们第一代多桥通道场效应晶体管（Multi-Bridge-Channel FET, MBCFETTM）。这是一种全环绕栅极（GAA）纳米片晶体管设计。这种新型晶体管架构在业界尚属首次，是下一代逻辑器件的关键技术，因为FinFET（鳍式晶体管）技术在进一步缩小尺寸方面面临限制。

机构表示，与FinFET相比，GAA晶体管具有更优异的静电特性和驱动电流、更好的短沟道控制能力、优化的功耗和更大的灵活性。机构在报告中表示，“除此之外，没有三星或其他供应商确认将该技术应用于其他主要产品的设计，因此有人推测三星正在解决这一早期版本在生产良率方面的问题。”