聯電致股東報告：14nm制程良率突破90%

集微網消息，據臺媒經濟日報報道，聯電將在5月31日舉行股東常會，董事長洪嘉聰在致股東報告書中指出，今年面臨景氣起伏的調整與地緣政治的挑戰，將持續通過創新、差異化的特殊制程技術、卓越的晶圓制造以及多元區域化的產能配置，達成與客戶緊密的策略夥伴關系，看好在5G、AIoT、EV等大趨勢下的半導體長期需求的增長。

聯電在股東書中報告瞭產品方面的進展。在14nm制程技術方面，目前客戶以14FFC平臺設計的產品良率已突破90%，性能更滿足客戶需求，也已成功的導入5G及網通等應用，並且順利進入量產。22nm制程部分，與28nm高效能精簡型制程技術平臺（28HPC）具有相同光罩層數及相容的設計準則，但22nm制程技術效能提升10％、功耗降低20％、晶粒尺寸減少10％，因此，22nm制程技術的成本競爭力大大提升，進而提供客戶更多選擇。

關於顯示器驅動器與功率管理制程技術，22nm高壓25V制程技術的LTPO OLED面板驅動芯片產品已完成驗證程序，今年進入試產；28nm超低功耗嵌入高壓主動矩陣有機發光二極體（AMOLED）顯示屏驅動芯片制程技術的開發，也已完成元件模型及設計規范，同樣在今年進入試產。

聯電強調，集團在化合物半導體領域，主要佈局通訊元件與第三類半導體功率元件等利基市場，砷化鎵元件部分，針對既有HBT功率放大器持續加入SAWWfilter整合方案，提供手機射頻前端模組與WiFi6／7通訊模組整合制造方案。

至於發展策略，聯電表示業務預期將持續受到全球經濟不確定性及終端需求疲弱的影響，公司會檢視原定資本支出計劃做適當調整。至於在中、長期目標，聯電指出，公司將制程研發和穩定獲利作為發展重心，將持續專註於開發差異化制程技術以強化客戶競爭力。

聯電表示會在中長期內聚焦在具有技術差異化及領先的特殊制程，包括：低功耗邏輯、雙極-互補金屬氧化半導體-雙重擴散金屬氧化半導體（BCD）、嵌入式高壓（eHV）、嵌入式非揮發性存儲芯片（eNVM）、射頻絕緣半導體（RFSOI）等。此外，聯電表示公司近年來積極投入開發化合物半導體氮化鎵（GaN）功率元件與射頻元件制程開發，鎖定高性能電源功率元件及射頻元件等市場商機。