我國碳化矽材料產業化取得新進展

記者從中國科學院物理研究所獲悉，我國科研團隊在碳化矽材料產業化方面取得新進展。源於中科院物理所關鍵核心技術轉化的北京天科合達，近日與國際知名半導體企業英飛凌科技簽訂一份長期供貨協議，提供6英寸碳化矽材料，確保其整個供應鏈的穩定。

碳化矽是一種性能優異的半導體材料。相比同類矽基器件，碳化矽器件具有耐高溫、耐高壓、高頻特性好、體積小和重量輕等優點，在電動汽車、光伏、5G等產業領域具有重要的應用價值。

中科院物理所研究員、天科合達首席科學傢陳小龍介紹，歷時近20年，從基礎研究、應用研究到成果轉化，科研團隊形成瞭具有自主知識產權的技術路線，進而推動碳化矽晶體產業化公司天科合達的成立，並發展為國內最大、國際第四的導電碳化矽襯底供應商。

據介紹，科研團隊制造的碳化矽晶體直徑已從小於10毫米逐步增大到2英寸、4英寸、6英寸和8英寸，有效降低瞭單位成本。在傳統“氣相法”晶體生長的基礎上，目前科研團隊還在進一步探索碳化矽“液相法”晶體生長技術。

（總臺央視記者 帥俊全 褚爾嘉）