負責人
消息稱三星下代400+層V-NAND 2026年推出,0a DRAM采用VCT結構
這一改動可防止NAND堆疊過程中對外圍電路結構的破壞。
臺高中發放“服勤同意書”引疑慮,臺教育部門喊停,島內網友諷:經費太多就亂搞
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