消息稱三星下代400+層V-NAND 2026年推出，0a DRAM采用VCT結構 這一改動可防止NAND堆疊過程中對外圍電路結構的破壞。 數碼生活 2024年10月29日 0 點讚 0 評論 12 瀏覽
