業務
三星第1、2代3nm工藝良率被曝僅60%、20%,未達潛在客戶要求
三星電子目前未能實現這一良性循環,導致半導體業務整體處於危機狀態。
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消息稱三星下代400+層V-NAND 2026年推出,0a DRAM采用VCT結構
這一改動可防止NAND堆疊過程中對外圍電路結構的破壞。